新華社華盛頓3月3日電 美國喬治敦大學“新興技術觀察項目（ETO）”3日在其網(wǎng)站發(fā)布一份報告說，2018年至2023年間，在全球發(fā)表的芯片設計和制造相關論文中，中國研究人員的論文數(shù)量遠超其他國家，中國在高被引論文方面同樣表現(xiàn)出色。
報告數(shù)據(jù)顯示，2018年至2023年間，全球發(fā)布約47.5萬篇與芯片設計和制造相關的論文。其中34%的論文有來自中國機構的作者參與，15%的論文有美國作者參與，18%的論文有歐洲作者參與。總體來看，中國作為芯片設計和制造方面最大的研究論文產(chǎn)出國，領先于美國等其他高產(chǎn)國家。在全球芯片研究論文產(chǎn)出的前十名機構中，9家為中國機構。
在芯片研究高質量論文方面，中國同樣高居榜首。在所有芯片設計和制造相關的高被引論文中，50%的論文有來自中國機構的作者參與，有美國作者參與的論文占比為22%，有歐洲作者參與的論文占比為17%。在中國和美國之后，韓國和德國分列第三和第四，但與前兩名差距較大。芯片設計和制造相關論文中，年度被引用次數(shù)排前10%的論文可算作高被引論文。
“新興技術觀察項目”由喬治敦大學安全與新興技術中心主辦。英國《自然》雜志網(wǎng)站3日援引“新興技術觀察項目”首席分析師扎卡里·阿諾德的話報道說，盡管研究結果并不意味著中國目前在芯片領域處于領先地位，但“可以說，它向我們展示了未來的發(fā)展趨勢”。
喬治敦大學安全與新興技術中心數(shù)據(jù)研究分析師雅各布·費爾德戈伊斯對《自然》表示，在芯片研究的一些新興熱門領域，中國正在試驗許多下一代技術，“如果中國能夠將其中一些技術商業(yè)化，他們就不是在追趕，而是有可能實現(xiàn)跨越式發(fā)展”。
（責任編輯：梁艷）
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